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半导体二节管及其行使精细先容_二极管伏安特性曲线

来源:未知 作者:admin 人气: 发布时间:2019-03-29
摘要:从击穿的机理上看,硅二极管若VBR7V时,重倘若雪崩击穿;若VBR4V时, 则重倘若齐纳击穿。当正在4V~7V之间两种击穿都有,有大概得到零温度系数点。 半导体二极管的伏安特征弧线所示。处于第一象限的是正向伏安特征弧线,处于第三象限的是反向伏安特征弧线。

  从击穿的机理上看,硅二极管若VBR≥7V时,重倘若雪崩击穿;若VBR≤4V时, 则重倘若齐纳击穿。当正在4V~7V之间两种击穿都有,有大概得到零温度系数点。

  半导体二极管的伏安特征弧线所示。处于第一象限的是正向伏安特征弧线,处于第三象限的是反向伏安特征弧线。遵照表面推导,二极管的伏安特征弧线可用下式表现

  式中IS 为反向饱和电流,V 为二极管两头的电压降,VT =kT/q 称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,美高梅网址,美高梅客户端,新万博正网q 为电子电荷量,T 为热力学温度。看待室温(相当T=300 K),则有VT=26 mV。

  从击穿的机理上看,硅二极管若VBR≥7V时,重倘若雪崩击穿;若VBR≤4V时, 则重倘若齐纳击穿。当正在4V~7V之间两种击穿都有,有大概得到零温度系数点。

  (3) 平面型二极管—往往用于集成电道修设工艺中。PN 结面积幼大由之,用于高频整流和开合电道中。

  半导体二极管的伏安特征弧线所示。处于第一象限的是正向伏安特征弧线,处于第三象限的是反向伏安特征弧线。遵照表面推导,二极管的伏安特征弧线可用下式表现

  正在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按机合分有点接触型、面接触型平安面型三大类。它们的机合示希图如下图所示。

  反向饱和电流也很幼;用于高频整流和开合电道中。锗二极管的反向击穿特征比力软,硅二极管的反向击穿特征比力硬、比力陡,反向饱和电流较大。(3) 平面型二极管—往往用于集成电道修设工艺中。正在反向区,过渡比力圆通,PN 结面积幼大由之,硅二极管和锗二极管的特征有所分别!

半导体二节管及其行使精细先容_二极管伏安特性曲线

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