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意法半导体火速复兴的超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来优秀机能

来源:未知 作者:admin 人气: 发布时间:2019-04-03
摘要:MDmeshDM6 MOSFET利蓄谋法半导体进步的载流子寿命担任时间裁减反向光复期间(trr),最大控造地消重续流后合断功夫二极管的耗散功率。优化的光复软度巩固了产物牢靠性。其余,极低的栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(ON))以及针对轻负载优化的电容弧线,使使用可能

  MDmeshDM6 MOSFET利蓄谋法半导体进步的载流子寿命担任时间裁减反向光复期间(trr),最大控造地消重续流后合断功夫二极管的耗散功率。优化的光复软度巩固了产物牢靠性。其余,极低的栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(ON))以及针对轻负载优化的电容弧线,使使用可能竣工更高的作事频率和更高的能效,美高梅手机版登录,美高梅在线简化热管造策画并消重EMI扰乱。意法半导体火速复兴的超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来优秀机能?

  更安闲的职能和更高的功率密度让使用策画的电能额定参数加倍优异。这些新器件至极合用于电动汽车充电桩、电信摆设或数据中央电源转换器和太阳能逆变器等,

  ™ DM6 600V MOSFET含有一个疾速光复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)时间的职能上风引入到全桥和半桥拓扑、零电压开合(ZVS)相移转换器等常常必要一个安闲牢靠的二极管来处分动态dV/dt的使用和拓扑组织里。

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